Samsung, ABD’de 2nm teknolojisiyle çipler üretecek

Samsung, ABD’nin Teksas eyaletine bağlı Taylor kentinde gelişmiş bir yarı iletken çip fabrikası kuruyor. Yakın zamanda ABD hükümetinden 4,74 milyar dolar teşvik alan şirket, TSMC ile rekabet edebilmek için 2026 yılında fabrikada seri üretime başlamayı hedefliyor.

2026 yılında üretime başlayacak

Yeni bir rapora göre Samsung Foundry, 2026 yılında Taylor tesisinde son teknoloji yarı iletken çipler üretmeye başlayacak. Şirketin fabrikada 2nm ve 3nm çipler üretmeyi planladığı bildiriliyor. Şirket, 2026 yılının başlarında gerekli tüm ekipmanı getirecek ve yıl sonundan önce üretime başlayacak.

Samsung’un en büyük rakibi olan TSMC ise Arizona tesisinde yakın zamanda 4nm çipler üretmeye başladı. Tayvanlı şirketin bu yılın sonunda 2nm ve 3nm çip üretimine hazır olacağı bildiriliyor.

Samsung Foundry, hem 2nm hem de 3nm sürecinde Gate All Around (GAA) teknolojisini kullanmayı planlarken, TSMC 3nm işlem düğümü için EUV teknolojisini ve 2nm için GAA’yı kullanacak.

Anahtar teslim hizmet sunacak

Samsung, TSMC’nin biraz gerisinden gelse de, AI çipleri için optimize edilmiş ‘anahtar teslim’ hizmetini kullanarak kendini farklılaştırmayı planlıyor. Görünüşe göre şirket, tüm hizmetleri tek bir çatı altında sunacak ve bu da fabrikasız şirketlerin geliştirmeden üretime kadar geçen süreyi %20 azaltmalarını sağlayacak.

Samsung, birkaç yıl önce 2030 yılına kadar yarı iletken üretiminde dünya lideri olmak için Vision 2030 planını açıkladı. Ancak, kısmen teknolojik kısmen de stratejik başarısızlıklar ve politik durumlar nedeniyle sorunlarla karşı karşıya kaldı.

Analistler, Samsung Foundry’nin Samsung Electronics’ten ayrılması durumunda hayatta kalma şansının daha yüksek olacağını söylüyor. Ancak Samsung Electronics Yönetim Kurulu Başkanı Lee Jay-yong, birkaç ay önce şirketin dökümhane bölümünü ayırmayacağını açıkladı.